삼성전자, 美서 차세대 V낸드 솔루션 공개
삼성전자, 美서 차세대 V낸드 솔루션 공개
  • 김수아 기자
  • 승인 2017.08.09 12:09
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기존 NVMe SSD 제품대비 성능을 획기적으로 향상시킨 하이엔드 SSD제품 'Z-SSD' 이미지(사진:삼성전자)

삼성전자가 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 8일부터 10일까지 매년 미국에서 개최되는 세계 최대로 개최되는 '플래시 메모리 서밋 2017(Flash Memory Summit)' 첫 날인 8일(현지시각) 세계 최대용량의 V낸드와 차세대 SSD 솔루션을 선보였다.

삼성전자는 이번 서밋에서 세계 최대 용량의 '1Tb V낸드', 서버 시스템의 집적도를 향상 시킬 수 있는 'NGSFF(Next Generation Small Form Factor) SSD', 기존 SSD보다 성능을 획기적으로 향상시킨 'Z-SSD', 신개념 데이터 저장방식을 적용한 'Key Value SSD' 등 혁신적인 V낸드 기반 신기술을 공개했다.

삼성전자는 이날 서밋에서 데이터를 저장하는 '3차원 셀(Cell)' 용량을 기존(512Gb)보다 2배 늘린 '1Tb 낸드'를 공개했다. '1Tb 낸드'는 16단을 적층해 하나의 단품 패키지로 2TB를 만들 수 있어, SSD의 용량을 획기적으로 늘릴 수 있으며, 삼성전자는 1Tb V낸드가 적용된 최대용량의 SSD 제품을 2018년에 본격 출시할 예정이다.

삼성전자가 8일부터 열리는 美 플래시 메모리 서밋 2017에서 서버 시스템의 집적도를 향상 시킬 수 있는 새로운 규격의 'NGSFF(Next Generation Small Form Factor) SSD'를 공개했다(사진:삼성전자)

또 서버 시스템 내 저장장치의 공간활용도를 극대화 할 수 있는 신규 SSD 규격인 'NGSFF SSD'를 발표했다. 기존 M.2 SSD로 구성된 시스템을 'NGSFF SSD'로 대체하면 동일 시스템 공간 기준 저장용량을 4배까지 향상 시킬 수 있으며, 이날 서밋에서 삼성전자는 16TB 'NGSFF SSD' 36개를 탑재한 576TB의 레퍼런스 시스템(1U)을 공개했고, 2U 시스템으로 1PB(페타바이트)의 스토리지 시스템을 구현할 수 있다.

삼성전자는 'NGSFF SSD'를 4분기부터 양산하여 고객 수요에 대응하고, 내년 1분기에 JEDEC 표준화를 완료하여 데이터센터 및 다양한 서버 고객들이 더욱 효율적으로 시스템을 구축할 수 있게 할 예정이라고 밝혔다.

이날 함께 발표한 'Z-SSD'는 최적화된 동작회로를 구성해 성능을 극대화한 하이엔드 SSD제품이며, 기존 NVMe SSD 대비 읽기 응답속도가 7배 빠른 15㎲로, 읽기와 쓰기를 반복하는 시스템 환경에서는 최대 12배까지 향상된 응답속도 구현이 가능하다.

삼성전자는 실시간 빅데이터 분석, 고성능 서버용 캐시 등 빠른 응답성이 요구되는 분야에 'Z-SSD'가 최적의 솔루션이 될 것이라고 밝혔다. 삼성전자는 2016년 플래시 메모리 서밋에서 처음으로 'Z-SSD'를 선보였으며, 현재 'Z-SSD' 샘플을 통해 다양한 업체들과 협력방안을 논의 중이다.

삼성전자는 이날 서밋에서 비정형 데이터 저장에 특화된 신개념 'Key Value SSD'도 함께 선보였다. 기존 SSD의 경우 다양한 종류, 크기의 데이터를 저장할 때 특정 크기로 변환해 저장하는 방식을 사용하고 있으나, 'Key Value SSD' 기술을 적용하면 별도의 전환 과정 없이 다양한 데이터를 있는 그대로 저장할 수 있어 시스템의 데이터 입출력 속도를 높일 수 있고, 또한 SSD의 수명도 향상 시킬 수 있다.

삼성전자 진교영 메모리사업부장은 "지속적인 V낸드 솔루션 개발을 통해, 고객 가치를 극대화 하고, 향후 AI, 빅데이터 등 미래 첨단 반도체 수요에 선제적으로 대응해 나갈 것" 이라고 밝혔다.

삼성전자는 2013년 세계 최초 V낸드(1세대, 24단) 양산을 시작으로, 올해 4세대 V낸드를 양산하는 등 낸드플래시 혁신을 주도해왔으며, 향후에도 첨단 솔루션을 통해 프리미엄 메모리 시장을 선도해 나갈 계획이라고 밝혔다.

 


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