N12e는 AI가 가능한 IoT 기기에 이상적이며, 전력 효율을 향상시키면서 음성이나 영상 분류를 이해하는 등의 기능을 수행할 수 있는 충분한 파워를 제공

이미지:홈페이지 캡처

차세대 인공지능(AI) 및 IoT 장치는 엣지에서 새로운 수준의 인텔리전스, 기능, 연결성, 안정성 및 성능과 더욱 강력하고 정교한 심층신경망(DNN) 및 컨볼루션신경망(CNN) 등 엣지 장치에서 그 기능을 발휘해야 한다.

TSMC가 24일부터 26일까지 온라인으로 개최되는 제 26회 TSMC 기술 심포지엄에서 25일 강력한 컴퓨팅 성능과 뛰어난 전력 효율성을 모두 제공함으로써 엣지 AI 애플리케이션에 최적화된 생산 기술인 N12e 프로세스를 공개했다.

N12e는 TSMC의 강력한 핀펫(FinFET) 트랜지스터 기술을 초저층 리케이지(ULL) 소자와 SRAM으로 강화된 소자에 접목해 1.75배 이상의 로직 밀도를 개선했으며, 이전 22ULL 세대보다 약 1.5배 또는 절반 이하의 전력 소비량을 제공한다. 

N12e의 FinFET 더 나은 누설 전류를 포함한 더 빠른 성능 및 전력 효율성
N12e의 FinFET 더 나은 누설 전류를 포함한 더 빠른 성능 및 전력 효율성

TSMC의 22ULL과 비교해 N12e는 ▶로직 밀도 76 % 향상으로 더 작고 비용 효율적인 설계를 가능하게하거나 동일한 영역에서 추가 컴퓨팅 코어 및 메모리를 위해 더 많은 트랜지스터를 포함할 수 있다. ▶전력에서 속도 49 % 향상으로 주어진 전력 수준에서 IOT 장치의 큰 도약. N12e는 주파수 및 구동력에 대해 훨씬 더 높은 헤드 룸을 제공해 평면 기술보다 훨씬 더 많은 성능을 제공한다.

또한 ▶주어진 속도에서 전력 소비량 55 % 향상으로 N12e는 다양한 제품 설계에 사용할 수 있는 광범위한 성능 대 전력 옵션을 제공한다. ▶SRAM 누설 전류 50 % 이상 감소로 배터리 수명 향상은 물론 발열 및 열 방출 감소에 중요하다. ▶낮은 Vdd 설계 생태계 솔루션으로 배터리로 작동하는 제품의 유효 전력과 누설 전력을 모두 줄인다. N12e는 0.4V 작동을 지원할 수 있다.

이처럼 12FFC+ 공정의 향상으로, N12e는 AI가 가능한 IoT 기기에 이상적이며, 전력 효율을 향상시키면서 음성이나 영상 분류를 이해하는 등의 기능을 수행할 수 있는 충분한 파워를 제공한다.

한편, TSMC가 2013년 처음 선보인 16nm 핀펫 기술에서 파생된 대폭 강화된 기술인 N12e는 수년간의 프로세스 개발, 개선 및 혁신적인 저전력 설계 아키텍처를 통해 TSMC 12FFC+ 기술을 기반으로 한다. TSMC 16/12nm 기술은 오늘날의 슈퍼컴퓨터와 GPU, 신경망 등 네트워크 프로세서 같은 고성능 컴퓨팅 장치에 적용된다.

 

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