견고한 GaN 전력 반도체 분야의 글로벌 리더이자 차세대 전력 시스템의 미래를 이끄는 트랜스폼(Transphorm. 나스닥: TGAN)이 온저항 값이 35, 50, 72밀리옴에 달하는 TOLL 패키지의 SuperGaN® FET 3종을 발표했다.

트랜스폼의 TOLL 패키지 구성은 업계 표준으로 자리 잡고 있고, 이는 어떤 e-모드 TOLL 솔루션이라도 SuperGaN TOLL FET으로 쉽게 대체할 수 있다는 것을 의미한다. 또한 새로운 장치는 성능이 입증된 트랜스폼의 고전압 다이내믹(스위칭) 온저항 안정성을 제공하며, 이는 일반적으로 주요 파운드리 기반의 e-모드 GaN 제품에서 단점으로 지적되어 온 부분이다. 

3개의 표면실장소자(SMD)는 평균 1~3킬로와트의 범위에서 운영되는 고전력 애플리케이션을 지원한다. 이러한 전력 시스템은 일반적으로 컴퓨팅(AI, 서버, 통신, 데이터 센터)과 에너지 및 산업 분야(PV 인버터, 서보모터)는 물론 현재 전 세계적으로 총 25억달러 가치의 GaN TAM이 사용되는 광대한 산업 시장에서 찾아볼 수 있다.

특히, 인공지능(AI) 시스템은 전통적인 CPU보다 10~15배의 전력을 더 소모하는 GPU에 의존하는데, FET는 오늘날 급격히 팽창하고 있는 AI 애플리케이션에 대한 최적의 솔루션이라는 점이 주목할 만하다.

트랜스폼의 고전력 GaN 장치는 이미 업계를 선도하는 고객들에게 광범위하게 공급되며, 이들은 데이터 센터 전원 공급 장치, 고성능 게이밍 PSU, UPS, 마이크로인버터 등 현재 생산 중인 고성능 시스템에 전력을 공급하기 위해 트랜스폼의 장치를 사용한다.

또한 TOLL 장치는 전기차 기반 DC-DC 컨버터 및 온보드 차저만큼 이러한 애플리케이션을 지원할 수 있으며, 기본 SuperGaN 금형은 이미 자동차 사용에 대한 인증(AEC-Q101)을 받았다.

한편, 트랜스폼은 6가지 유형의 SuperGaN TOLL FET 패키지를 제공하고, 고객들은 광범위한 패키지 옵션을 통해 자신만의 설계 요구를 충족시킬 수 있다. 트랜스폼의 다른 모든 제품과 마찬가지로, TOLL 장치는 노멀리 오프 d-모드(normally-off d-mode) SuperGaN 플랫폼을 통해 일궈낸 고유한 성능과 안정성의 이점을 활용한다.

SuperGaN과 e-모드 GaN에 대한 자세한 경쟁 분석은 캐스코드 구성에서 d-모드 GaN이 가지는 근본적인 이점이라는 제목의 당사 최신 백서를 다운로드해 확인할 수 있다. 상용 280W 게이밍 랩톱 차저를 대상으로 올해 초 실시된 직접 비교에서 72밀리옴의 SuperGaN FET이 크기가 더 큰 50밀리옴 e-mode 장치의 성능을 압도하는 것으로 나타났다.